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组合层叠式芯片SST34HF162G破解技术研究

时间:2012/12/6 9:20:45

  Flash存储单元中所存储的数据是0还是1,是完全由存储单元的电学性能决定的。这样,要读出其中的数据,就只能通过电学的方法。当前的不少芯片,都设计有加密功能,在芯片数据写入之后,可以通过加密使得数据无法读出。要想得到已加密芯片内部存储的数据,需要对芯片进行反向分析,弄清楚芯片的加密原理,再针对性的对芯片做相应的解密操作(比如FIB电路修改),去除芯片的加密功能,然后读出其中数据。
  组合层叠式存储器概述
  组合层叠式ComboMemory 存储器产品是高度集成的方案,在单个或多芯片封装中组合了SST的SuperFlash技术和静态RAM。这些器件对于那些既需要flash和SRAM又受到空间限制的应用是理想的选择,如手机、传呼机、便携式消费电子产品、移动通信和和手持GPS设备等。组合层叠式ComboMemory 存储器系列包括二个产品系列:
  32 系列:Flash和SRAM或者PSRAM集成到单个多芯片封装(MCP),例如SST32HF802。
  34 系列:双Bank Flash和SRAM或者PSRAM集成到一个多芯片封装(MCP),例如SST34HF162G。
  以下是SST34HF162G芯片解密特性分析,供广大客户参考借鉴。
  SST34HF162G特性
  Flash组织:1M X16
  - 16Mbit;12Mbit+4Mbit
  并发操作
  - 在擦除/编程Flash的同时对SRAM进行读写操作
  SRAM机构:
  - 2Mbit:128K X16
  单2.7-3.3V的读取和写入操作
  卓越的可靠性
  - 耐力:100,000次(典型值)
  - 大于100年数据保存期
  低功耗(典型值@ 5 MHz时)
  - 工作电流:Flash 10 mA(典型值),SRAM 6 mA(典型值)
  - 待机电流:10μA(典型值)
  硬件扇区保护(WP#)
  - 保护4个最外层的大映射持有WP#低,解除保护的扇区(4千字)持有WP#高
  硬件复位引脚(RST#)
  - 复位内部状态机来读取数据阵列
  扇区擦除功能
  - 统一2千字扇区
  块擦除功能
  - 统一32千字块
  读取访问时间
  - Flash:70 ns
  - SRAM:70 ns
  擦除暂停/擦除恢复功能
  锁存地址和数据
  快速擦除和字编程(典型值):
  - 扇区擦除时间:18ms
  - 块擦除时间:18ms
  - 芯片擦除时间:35ms
  - 编程时间:7μs
  自动写时序
  - 内部VPP生成
  结束写检测
  - 触发位
  - 数据#轮询
  CMOS I/ O兼容性
  JEDEC标准指令集
  封装可供选择
  - 48球LFBGA(6mm×8mm)
  - 48球LBGA(10mm×12mm)
  - 无铅封装(无铅)
  在长期的解密研究中,我司已掌握该芯片解密的核心技术,可为广大客户提供价格合理、优质可靠的芯片解密方案。同时,我司除提供芯片解密,IC解密,单片机解密,DSP解密,CPLD解密,目标代码的反汇编外,还提供芯片设计,晶圆代工,抄芯片(芯片仿制),芯片代工,PCB抄板,PCB制板图的设计和代加工,物料代采购及软件程序的二次开发等等。

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